《科創(chuàng)板日報(bào)》5月26日訊　 DRAM價(jià)格已連續(xù)12個(gè)月下跌，市場相關(guān)人士指出，“現(xiàn)在的價(jià)格正接近原料成本” 。

(資料圖片僅供參考)

4月指標(biāo)性產(chǎn)品DDR4 8Gb批發(fā)價(jià)為每個(gè)1.48美元左右，環(huán)比下跌1%;4Gb產(chǎn)品價(jià)格為每個(gè)1.1美元左右，環(huán)比下跌下跌8%。

國金證券報(bào)告也顯示，存儲器價(jià)格已跌破歷史最低位置（當(dāng)前DRAM價(jià)格距離最高點(diǎn)下跌超60%，部分料號現(xiàn)貨價(jià)與合約價(jià)已經(jīng)出現(xiàn)倒掛） ，價(jià)格潛在下跌空間較小。

拐點(diǎn)何時(shí)到來?曙光或許就在前方。

TrendForce發(fā)布報(bào)告指出，全球DRAM芯片需求預(yù)計(jì)最早將在7月份超過供應(yīng) ，這一變化將減輕因芯片低迷而陷入困境的半導(dǎo)體公司的壓力。

另外，預(yù)計(jì)今年全球DRAM需求將超過1054億片2GB芯片，超過預(yù)估的1043億片供應(yīng)量 ——而TrendForce 4月的報(bào)告中，曾預(yù)計(jì)今年DRAM需求為1460億片，供應(yīng)量為1550億片，換言之，DRAM的供應(yīng)過剩將繼續(xù)損害全球芯片制造商的利潤。

值得一提的是，TrendForce近期還調(diào)整了今年存儲芯片供應(yīng)過剩率預(yù)估值 ：其中，將DRAM預(yù)估值從此前的0.9%調(diào)整至-1%，將NAND Flash預(yù)估值從3%調(diào)降為-0.5%——正值意為供過于求，負(fù)值則為相反。

行業(yè)訂單涌入 存儲廠商有望迎來戴維斯雙擊

是什么促使TrendForce將供應(yīng)過剩預(yù)期直接轉(zhuǎn)向供不應(yīng)求?主要原因還是三星減產(chǎn)。公司之前表示，將把內(nèi)存產(chǎn)量減少到“一個(gè)有意義的水平”，其已開始削減傳統(tǒng)產(chǎn)品的產(chǎn)量，而這些產(chǎn)品的產(chǎn)量已經(jīng)足以滿足中長期需求。

而從需求端來說，近日智能手機(jī)與服務(wù)器廠商對存儲芯片供應(yīng)合同的詢問數(shù)量有所增長，且AI服務(wù)器DDR5訂單不斷涌進(jìn) ，HBM、DDR5等高附加值DRAM的需求也在持續(xù)攀升。同時(shí)，存儲器廠商部分需求領(lǐng)域已出現(xiàn)急單 ，客戶需求回溫、急單涌入，而且“量也不少”。

在這種情況下，TrendForce近期也已上調(diào)了32GB DDR5的二季度均價(jià)預(yù)期 ，從之前的75美元調(diào)高至80-90美元。

中泰證券指出，存儲芯片上行周期彈性極佳：

股價(jià)方面，以美光為例，上行周期中其股價(jià)從低點(diǎn)到高點(diǎn)漲幅超200%，股價(jià)和估值極具彈性。股價(jià)較基本面提前啟動，且季度營收同比增速先達(dá)周期高點(diǎn)，后股價(jià)達(dá)周期高點(diǎn) 。在周期底部，美光PB估值僅1倍，而在周期上行時(shí)，最高可達(dá)3-4倍。

產(chǎn)品價(jià)格方面，復(fù)盤上輪存儲價(jià)格反彈，合約價(jià)漲幅40%-90%不等，現(xiàn)貨價(jià)漲幅80%-170%不等，預(yù)期上行周期存儲價(jià)格反彈力度大、反彈時(shí)的價(jià)格上漲速度快 。

分析師進(jìn)一步指出，半導(dǎo)體細(xì)分賽道中，存儲板塊有望較早復(fù)蘇，如今各家廠商降低產(chǎn)出、推動供需情況改善，且行業(yè)具備量價(jià)齊升邏輯，疊加AI強(qiáng)驅(qū)動，存儲廠商有望迎業(yè)績與估值的戴維斯雙擊 。建議關(guān)注兆易創(chuàng)新、東芯股份、北京君正、深科技、普冉股份、江波龍等。